Pesquisadores do Instituto de Física de São Carlos da Universidade de São Paulo (IFSC-USP), em parceria com cientistas da École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), na Suíça, desenvolveram uma técnica para melhorar o desempenho do dissulfeto de molibdênio (MoS₂) bidimensional, material semicondutor com aplicações promissoras em eletrônica e sensores.
O estudo, financiado pela FAPESP e publicado na revista ACS Nano, demonstrou que a combinação do MoS₂ com estruturas metálicas de ouro em escala nanométrica pode aumentar significativamente sua capacidade de condução elétrica e interação com a luz.
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Segundo os pesquisadores, ao posicionar o MoS₂ sobre superfícies de ouro com pequenas aberturas, o material se ajusta ao relevo metálico. Essa adaptação altera suas propriedades eletrônicas e ópticas, permitindo maior eficiência na condução elétrica e absorção de luz.
A pesquisa também constatou que a forma como a luz incide sobre o material afeta seu comportamento eletrônico, o que pode ser explorado em sensores ópticos e dispositivos baseados em diferentes tipos de radiação.
O trabalho é resultado da primeira publicação conjunta entre o grupo do IFSC-USP e a EPFL dentro de uma colaboração iniciada em 2019. De acordo com o professor Euclydes Marega Junior, um dos autores do estudo, a parceria será fortalecida com futuros intercâmbios de estudantes.
O artigo completo está disponível em: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.4c13867.
Redação com informações da Agência FAPESP
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